而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。在传统产业的应用领域中，对于贵金属的需求也随着这些产业的兴衰而出现此起彼落此消彼长，甚至出现行业的淘汰而与贵金属无缘，例如照相用胶卷。
为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能良好。钎焊：一般使用软钎料的情况下，要求溅射功率小于20W/cm2，钎料常用In、Sn、In-Sn。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。
什么是靶材绑定？靶材绑定的适用范围、流程？
绑定是指用焊料将靶材与背靶焊接起来。主要有三种的方式：压接、钎焊和导电胶。
1.压接：采用压条，一般为了提高接触的良好性，会增加石墨纸、Pb或In皮；
2.钎焊：一般使用软钎料的情况下，要求溅射功率小于20W/cm2，钎料常用In、Sn、In-Sn；我司采用铟焊绑定技术。
3.导电胶：采用的导电胶要耐高温，厚度在0.02-0.05um。
烧结法： ITO靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧锡混合粉末为原料，加入粘结剂和分散剂混合后，压力成型，脱脂，然后于1400℃---1600℃烧结。根据本发明的一方面，提供了一种导电辊，该导电辊包括导电性芯材，以及包覆于所述导电性芯材的外周的泡沫弹性层。烧结法设备投入少，成本低，产品密度高、缺氧率低，尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。
ITO靶制备的透明导电薄膜广泛应用于数码相机、投影电视、数码显示的各种光学系统中，全球需求量都很大。
以上信息由专业从事纯银板材回收的东创贵金属于2025/8/21 21:26:29发布
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